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如何降低射频同轴连接器电压驻波比

1、引言

射频是无线电电子系统、电子设备和仪器仪表中不可缺少又是非常关键的机电元件。它既起到机械连接作用,又要保证电磁信号和电磁能量顺利传输。vswr是衡量射频同轴连接器电气性能优劣的关键电气参数。vswr实质上是传输线(射频同轴连接器)传输系统特性阻抗均匀程度和反射大小的反映,它也反映了该连接器在电子系统中与系统是否匹配和匹配程度。因此,射频同轴连接器vswr性能的好环,直接影响到应用射频连接器的系统的性能。因而在射频连接器产品标准和应用射频同轴连接器时,都对其vswr性能提出了明确的要求。由于以上原因,射频同轴连接器的vswr问题对设计者、生产厂和用户来说,都是非常重视和关注的问题。如何降低射频同轴连接器的vswr,一直是设计者探讨的主题。

随着科学技术的进步,电子工业和通信事业的迅速发展,射频同轴连接器的应用范围在不断扩大,应用的工作频率在不断拓宽,对射频同轴连接器的vswr性能要求也越来越高;新产品需要进行低vswr设计,老产品的vswr性能不能满足目前使用要求,需要改进,在生产过程中产品的vswr性能常有超标问题,这些都存在如何降低连接器的vswr问题。例如,在移动通信行业,最初,第1代(1g)移动通信要求射频同轴连接器,频率范围在0~1ghz,vswr≤1.05,发展到第2代(2g),频率范围拓宽到0~2ghz,vswr≤1.08,目前发展到第3代(3g),4代(4g),频率范围拓宽到0~2.5ghz或0~3ghz,而vswr≤1.08或vswr≤1.10,这样,就要求设计者,不断改进设计,降低射频同轴连接器的vswr,才能满足移动通信事业发展的需要。

射频同轴连接器的vswr性能,虽然经过数十年的发展实践,存在着一些进行低vswr设计的理论和经验,但生产出来的产品vswr性能是否能满足设计要求,必须要经过对产品进行vswr测试,依靠测试数据来验证。这就要求测试系统具有比产品级性能更好的测量级的转接器、连接器和负载。测量级或说精密级的产品其特征和标志主要是更低的vswr,这样,精密级产品的设计,更存在着如何降低产品的vswr问题。

由上可见,降低射频连接器的vswr,是满足科技发展、工作实践和现实生产过程的需要,具有提高生产效率和提高生产效益的巨大现实意义。本文试图从分析影响射频连接器vswr的因素入手,探讨在新产品设计、老产品改进和生产过程中如何降低射频连接器vswr的途径和措施,以满足实际需要。

2、影响射频同轴连接器vswr的因素

任何一种射频同轴连接器,都需要经过设计、生产加工、装配、测试检验诸过程,才能成为合格产品,供安装使用。在这些形成合格产品的过程中,都涉到产品的vswr,即都与产品的vswr有关,因而都可能存在影响产品的vswr的因素。

2.1 设计时,应用射频连接器基本设计三原则不当带来的影响。

研制宽带精密同轴元件的三项基本设计原则,不仅适用于精密同轴连接器,同样,也适用于具有vswr要求的所有射频同轴连接器。因而,三项基本设计原则是目前进行设计时必须遵守的原则。三项基本设计原则的要点是:

2.1.1. 设计原则1;

• 在连接器的每一个横截面上尽可能保持一个恒定的特性阻抗。例如:50ω。
• 应用一段特性阻抗高于和低于标称阻抗的传输线,对导体上的阶梯、槽或间隙进行补偿,限制了宽带性能,不能应用到宽带精密元件上。

2.1.2. 设计原则2;

• 阻抗不连续是不可避免的;
• 对于每个阻抗不连续,都要进行补偿;
• 为获得最好的性能,首先应把未补偿的不连续减至最小;
• 其次对剩余的阻抗不连续,应进行补偿(引入一个单独的共面补偿);
• 改变阻抗的做法,限制了带宽,不适合宽带设计。

2.1.3. 设计原则3;

• 同轴元件中导体的尺寸公差总是不可避免的;
• 把电气性能对机械公差的依赖减至最小。例如:易磨损,碰伤处。

这三项基本设计原则,虽然人所共知,但应用起来,由于种种原因,经常会出现一些偏差,或顾此失彼,出现一些这样或那样的问题。一些例子如:

 

在图1图a中,为固定内导体,防旋转或窜动,常在内导体上设置1处或2处倒刺,或在内导体上滚上直纹、网纹,使内导体局部外径增大,而在相对应的外导体上来做补偿,致使倒刺或滚花处阻抗不连续。不符合基本设计原则1和2;
在图1图b中,在内、外导体直径变化处,产生不连续电容,需要进行补偿,但常常被忽略,这不符合基本设计原则2;
如图c在绝缘支撑的结构设计中,在设计中虽然注意进行共面补偿,但决定补偿好环的重要尺寸δ,常常选择不当,因而补偿不当;
如图d,因结构工艺需要,常常需要在内导体或外导体上开孔,孔径φ影响了该处的特性阻抗,但常被忽略,引起阻抗不均匀;
如图e和图f,有些产品因结构需要,收口处正是机械电气基准面或在基准面处设置压环,用来固定绝缘支撑,这种情况不符合设计原则3。

2.2 结构参数偏差对vswr的影响。

2.2.1. 机械加工公差对特性阻抗的影响

射频同轴连接器的特性阻抗由下式确定:

image.png  或image.png

式中:
z --表示特性阻抗单位ω;
d--外导体内径单位mm;
d--内导体外径单位mm;
εr--绝缘介质的相对介电常数。

在产品零件的生产加工过程中,任何尺寸都不可避免地存在尺寸公差。内外导体直径的公差对特性阻抗的影响为:
对50ω空气线:image.png

对50ω介质线:image.png

式中:
d--外导体内径的公差;
d--内导体外径的公差;
εr--绝缘介质相对介电常数的误差;
zo--引起的特性阻抗的偏差。

由内、外导体直径的公差引起的电压驻波比为:
image.png

2.2.2. 不同轴度引起的特性阻抗的偏差

image.png

图2.  d和d的偏心度

连接器内、外导体的横截面由于制造或装配的原因会出现不同轴,假设不同轴度为e,如图2所示。由于不同轴度e的作用,改变了传输线中该段的分布电容,所产生的阻抗误差为:

image.png

式中,页号表示特性阻抗变小。

对于50ω的连接器,其阻抗误差为:
image.png

2.2.3. 内、外导体上的槽对特性阻抗的影响

为了保证弹性接触的需要,在连接器的内、外导体上常开有不同数量的轴向槽,由于开槽,使该处的导体直径变小,引起该处的特性阻抗变化,这些槽引起的特性阻抗的偏差为:
image.png 式中:
z--特性阻抗变化的百分数;
n--为开槽的数目;
ω--为内导体上的槽宽;单位:mm;
w--为外导体上的槽宽;单位:mm;
d--内导体外径;单位:mm;
d--外导体内径;单位:mm;

2.2.4. 内、外导体上轴向间隙对特性阻抗的影响

同轴连接器配对连接后,总是希望插头和插座两者的内、外导体在轴向实现紧密接触。但由于机械结构的原因,要达到两者都能紧密接触是非常困难的。为了预防插损内导体,通常设计时使外导体端面紧密接触无间隙,允许内导体的接触端有微小间隙。设内导体的接触端面间隙为g,如图3,该间隙所引起的电压驻波比取决于间隙的宽度和阴性接触件的槽宽。引起的驻波比的计算公式如下:

image.png

式中:
f--为工作频率;  单位:ghz;
g--内导体间隙宽度;单位:mm;
dg--内导体插针的直径;单位:mm;
ω--插孔上的槽宽;单位:mm;
d--内导体外径;单位:mm;
n--内导体插孔上槽的数目。

因种种原因,外导体接触端面存在间隙时,设间隙为g,则引起的驻波比的相应公式为:
image.png

式中:
f--为工作频率;单位:ghz;
g--外导体端面间隙宽度;单位:mm;
dg--间隙区内外导体直径;单位:mm;
d--外导体标称内径;单位:mm;
w--外导体接触件上的槽宽;单位:mm;
n--外导体接触件上开槽的数目。

2.3 绝缘支撑的轴向位置和结构设计对特性阻抗的影响。

为了支撑内导体,不得不设置绝缘支撑,绝缘支撑的设置,不得不切割内、外导体。内切割内导体和外切割外导体不可避免地在绝缘支撑的表面引起不连续电容,形成反射;绝缘支撑的厚度和绝缘支撑相互之间的距离若设计不当,也会引起反射。所有这些都会影响射频连接器的电压驻波比。

2.3.1. 阻抗设计

当作宽带绝缘支撑设计时,根据基本设计原则1,在绝缘支撑内部的特性阻抗必须和与之相连的空气介质区的特性阻抗相同。如果在绝缘支撑和内、外导体的金属表面存在空气隙,则很容易致使截面上的相对介电常数发生变化,因而对该处的特性阻抗会有很大的影响。当特性阻抗有偏差时,该偏差引起的驻波比由下式给出:
image.png

式中:
s是以百分数表示的驻波比;
z是以百分数表示的特性阻抗的误差;
f是以ghz为单位的频率;
fo是以ghz为单位的频率,在这个频率时,绝缘支撑的电长度是一个波长。

对切割内、外导体处绝缘支撑表面引起的不连续电容,通常采用挖去部分材料的办法,进行共面补偿,由界面补偿的小误差引起的驻波比由下式给出:
image.png

式中:s、f和fo与前含义相同;
δx是在1.0ghz时以百分数表示的单一面上的驻波比。

当工作频率不高时,可以采用高阻设计。即绝缘支撑内部的特性阻抗zε略高于标称阻抗z。,通常的作法是取zε=1.08z。有时也采用几何平均值两段式过渡的方式,即满足等式:image.png  。z1表示第一段的阻抗,z2表示第二段的特性阻抗。

2.3.2. 绝缘支撑的厚度

在均匀同轴传输线中绝缘支撑的谐振频率是绝缘支撑长度(厚度)及其相对介电常数的函数,在厚度b一定时,谐振频率随介电常数εr的减小而升高,在εr一定时,谐振频率随绝缘支撑的厚度b的减小而升高。当b趋近于零时,就成为一个空气同轴线,其谐振频率由它的截止频率所决定。而当b接近外导体直径d时,由于绝缘支撑的谐振作用使得同轴线中的电磁波传输极不稳定,并使同轴线的截止频率受到约束而下降。可见,绝缘支撑的厚度必须小于外导体的直径,即b<d,而且厚度b越薄越好。为避免在同轴线中出现高次模,绝缘支撑的厚度b应满足式:
image.png

式中:
b为绝缘支撑的厚度;
fc为空气同轴线的理论上限频率;
f为工作频率;
λg为工作频率的波长;
εr为绝缘支撑的相对介电常数。

2.3.3. 绝缘支撑在连接器的轴向位置

图中l为两绝缘支撑之间的距离,l为绝缘支撑到基准面之间的距离l=2l;b为绝缘支撑的厚度,l1为绝缘支撑到外导体直径变化处的距离。同轴腔中的谐振不仅由绝缘支撑内部的场决定,而且外部的空间距离也有相当大的影响,即两个绝缘支撑之间的距离将影响谐振频率,当l≥2d时,绝缘支撑之间的相互影响可减至较小,而当l=3d时,绝缘支撑之间的相互影响完全可以忽略不计。绝缘支撑距外导体的直径变化处l1=d时,相互影响减至最小,而当l1=1.5d时相互影响可以忽略不计。因此当l的取值小于d时,往往影响到射频连接器的电压驻波比。

2.4 过渡设计

在连接器的结构设计中,由于界面不同或配接的电缆的直径不同,经常会遇到内、外导体直径的变化,产生不连续电容。为了补偿阶梯产生的不连续电容,需要采取一定的补偿方法,如果补偿过渡设计不当,会严重影响射频连接器的vswr,对于过渡设计的结构,常用的结构如下:

2.4.1. 错位过渡

为了满足导体直径变化的需要,采用内、外导体错开一段距离的办法进行补偿,也有人称作阶梯补偿、直角补偿等。如图5所示:粗端内、外导体直径分别用d和d表示,细端内、外导体直径分别用d1和d1表示,错开的距离用a表示。

2.5 表面粗糙度的影响

有资料显示,在大约0.381μm以下的表面粗糙度容易在电气上平均掉。但是一些观察表明,特性阻抗对表面粗糙度有依赖。当具有1.905μm的表面的内导体在7ghz时代替0.127μm粗糙度的内导体时,7/16英寸标准空气线的特性阻抗,发现有大于0.1%的差别,相当于特性阻抗的这样一个差别的导体直径的直接改变是大约5.08μm,然而内导体平均直径的实际差别低于0.508μm,虽然这个效应到目前为止尚无理论证明,但是可以测量的。并且应加以注意。

2.6 导体镀涂的影响

为了降低导体的电阻率,常对导体表面进行镀涂。但常常具有令人失望的结果。导体电阻率是重要的,因为它涉及到特性阻抗和传播速度的关系。同样也涉及到损耗的关系。在500mhz以上,导体电阻率对特性阻抗和传播速度的影响是二阶的,并且常常被忽略。由于电镀方法不同,使得镀银得到的导体电阻率有很大的改变。电镀槽中包含有工业光亮剂的镀银导体,所显示的电阻率,大约与黄铜一样。无工业光亮剂的镀银导体有很低的电阻率,脉冲电镀可以进一步降低电阻率。如图8所示:

image.png

图8.做为频率函数的导体电阻率的测量数据

2.7 装配不当带来的影响

在装配过程中,由于种种原因,会产生装配不当。在生产线上,检测vswr指标时,也常会发现,因装配不当导致产品vswr超标,常见的问题有:
a、零件位置颠倒、错乱、张冠李戴等;
b、零件前后方向颠倒,如绝缘支撑,数量或多或少;
c、零件砘粗变形,导致内、外导体直径变化,尤其是小型产品、卡环等;
d、零件端面碰伤,有划痕、压痕等;
e、装配中,异物进入连接器内部或多余物未清除干净;
f、电缆剥制尺寸不当等。

2.8 测试系统的缺陷带来的影响

所有的射频同轴连接器的驻波性能,都是通过测试仪器显示出来的,对驻波比性能的测试,不论采取那种方法(无误差识别测量法、双连接器法和有误差识别测量法)都需要应用标准试验连接器或转接器和标准负载、或称精密型转接器和精密负载。并要求,使用的测试用电缆应是优选严格精密的公差类型的。一般来说,这些测试用附件,都是与仪器配套的或说是原装的径标定的。但是在实际生产过程中,因各生产厂经济状况不同,或长期使用缺乏标定,或买的是二手仪器测试附件不配套来检等,往往存在一些缺陷,即测试系统的测试附件剩余vswr超标。试想用这样的测试系统测出的数据能够准确吗?但是,这些缺陷又常常被忽略,总认为测试系统是标准的,把注意力放在被测射频连接器上。所有这些,都不能真实的反映出产品的vswr性能。

2.9 生产加工不当漏检带来的影响

尽管目前很多企业都在贯标,施行质量控制保证体系,非常重视质量问题,但是常常由于种种原因,生产出的产品零件,不能保证100%的零件都不存在问题,这些存在局部缺陷的零件,装配到产品上,就会影响产品的vswr。生产线上常发现的缺陷有:
a、产品内腔深处阶梯间距尺寸超差、直径尺寸超差等;
b、产品内腔阶梯处存在峰边、卷边、大毛刺、残余铜屑等;
c、产品内腔倒角不均、不同心、偏大或偏小尺寸角度超差等;
d、开槽、打孔尺寸超差;
e、产品内腔表面粗糙度差,尤其在接触表面上存在刀纹、振纹等。
以上这些都会对连接器的vswr带来不良影响。

3、降低射频连接器vswr的途径和措施

降低射频连接器的vswr,必须贯穿产品形成的全过程,即从产品的设计、生产加工、装配、测试检验过程中,针对不同阶段,关注点不同,具体问题具体分析,采取降低电压驻波比措施,精心设计是奠定低vswr的结构基础,精心加工,装配是实现结构设计的保证,良好的检测设备才能客观地反映产品的真实性能。

3.1. 做好设计控制,体现降低vswr措施

设计确定了产品结构,产品结构决定了产品的vswr性能。产品结构是否能满足低vswr要求,关键是产品的结构设计的合理性。

3.1.1. 做好设计方案论证。从不同结构设计方案中,优选理论上认为是低vswr的方案,即满足尽可能消除上文中阐述的影响vswr的因素,从设计方案中体现降低vswr的措施。
3.1.2. 做好总体结构设计。按照基本设计三原则,进行总体结构设计,确定最佳设计方案,针对具体产品结构,降低产品的vswr;并坚持在射频电流的通道上保持尽可能小的导体电阻和接触电阻。当产品结构初步确定后,导体电阻和接触电阻就是影响产品电气性能的关键因素。应选用电导率尽可能小的导体材料和镀层材料;在电流通道上接点越少越好,即零件越少越好。当接点不可避免时,应尽可能扩大接触面积,加大接触压力,提高表面光洁度;尽可能减少阶梯,不可避免时,在满足机械性能条件下,阶梯越小越好。
3.1.3. 做好补偿设计。对有不连续电容处应进行补偿设计,并做好计算正确无误,准确应用相关公式,要验算尺寸键,符合产品标准界面尺寸要求。
3.1.4. 控制机械加工尺寸公差。对于影响vswr的关键尺寸,可参考标准试验连接器的相关尺寸公差。针对本单位机械加工设备和人员素质构成的机加能力,选取尺寸公差,尽可能做到既能达到降低vswr的目的,又不增加生产成本适合批量生产的尺寸公差要求。
3.1.5. 合理选择适用材料和镀层。为保证较低的接触电阻和良好的导电性能、和较低的损耗,选择导电率低、弹性好的内、外导体材料,以及合适的镀层;选择高频性能稳定,线涨系数小的绝缘介质材料。例如:聚四氟乙烯(ptfe)。

3.1.6. 合理确定表面粗糙度。对影响vswr的接触面和传输腔体表面粗糙度尽可能地高,例如,其它表面可略低些,注意锐边倒钝,避免尖峰,尤其是在传输腔体内部。

3.1.7. 合理确定形位公差。对同轴传输线来说,一定要标注同轴度公差。同轴度公差直接影响vswr,当部件需要焊接时,注意保证垂直度公差,在平面上多孔定位时,应注意位置度。在设备条件允许的情况下,可以选择较严的形位公差。
3.1.8. 开槽、打孔应适宜。对内、外导体接触部位的开槽,为增大接触面积可多开槽,为减少对直径变化的影响,可开窄槽,避免增大对vswr的影响,可不开槽。外导体因各种原因需开孔时,在满足工艺需要的前提下,开孔直径越小越好。当内、外导体上的槽宽增大,孔径增大时,则对vswr的影响也就大。
3.1.9. 消除空气隙的影响。在绝缘支撑段,由于尺寸公差的影响或设计不当,往往会存在空气隙。金属表面和介质间的空气隙对该处的介电常数发生变化,因而引起该处的特性阻抗变化,影响产品的vswr,应采用压配合的方式和保持重量不变的方式消除空气隙。
3.1.10. 必要时,要验算绝缘支撑的厚度,合理确定绝缘支撑在连接器中的轴向位置。尽可能避免应用双支撑、多支撑。采用降低相对介电常数的措施时,做好相对介电常数的计算和验算,在保证机械性能的前提下,绝缘支撑的厚度越薄越好,相互之间的距离越大越好。

3.2. 老产品改进

任何产品都有一定的适用范围和使用寿命,随着科技的发展和设备系统的需要,早期的一些产品vswr性能不能满足新系统、新设备的需要。需要降低vswr,对老产品进行改造。需降低vswr,就必须对需用产品重新设计,这样对老产品改进其设计基本思路与新产品设计应是相同的。不过在改进设计过程中应尽可能应用老产品的零件把生产成本降到最低。

3.3. 生产中查找影响vswr的因素,确定整改措施,保证vswr性能

在生产线上,虽然生产的产品是定型成熟产品,所用的产品零部件都是经检验具有合格证的零部件,但是通过vswr检测检验,常常会发现有些产品vswr指标超差不符合要求。对这些vswr不合格产品从图纸上很难发现问题。如何确定查找影响vswr的因素,确定整改措施对改进产品结构提高成品率和经济效益是非常重要的。

3.3.1. 解剖产品、复核结构参数,查找超差原因

对于vswr超标的产品,应对照图纸,对产品进行解剖,复核零部件结构尺寸,观察零件位置、顺序、数量是否有异常。若有异常和尺寸超差现象,这些往往就是形成vswr超差的原因。常见的一些超差现象有:
a、因某零件的尺寸超差,引起的界面尺寸超差,导致机械电气基准面相关尺寸超差,插针、插孔、端距、端面尺寸超差、回缩等;
b、绝缘支撑倒装,零件尺寸超差;
c、零件位置错乱、顺序错乱、少装或多装零件;
d、零件类同,发放错误,张冠李戴;图号错乱,发非所用;
e、电缆剥制尺寸超差,错误。
针对这些超差错乱现象,分析原因,提出整改措施。

3.3.2. 从“事故多发区”入手,分析查找影响产品的vswr因素

射频连接器实际上是一段带有连接结构,电缆夹紧装置的非均匀同轴线。以直式连接器为例与均匀同轴线相比,绝缘支撑结构区、导体直径变化过渡区和端接电缆结构,往往是具有明显的阻抗不均匀。这些区域,往往是“事故多发区”,认真分析检查这些区域的异常现象,常常容易找到影响vswr的因素。常见的超差现象有:

绝缘支撑区:
a、绝缘支撑尺寸超差,共面补偿槽深超差,金属导体与介质接触面存在明显空气隙,支撑厚薄不均匀,引起端面界面尺寸超差、变化、松动等;
b、装配过程中未进行高压气泵清洗,腔体绝缘支撑面残存装配生成多余物,影响零件位置尺寸;
c、绝缘支撑材料不纯、有异物、颜色不正、受污染、介电常数发生变化;
d、支撑装配颠倒,挤压压力过大导致尺寸变化,变形。

直径变化过渡区:
a、错位补偿应用公式计算不当、尺寸超差、锥形补偿尺寸计算不准,锥顶错位;
b、加工不当、光洁度差、存在峰边、卷边、残留多余金属物;
c、阶梯倒角不当、偏心、不同轴、角度超差、尺寸超差等;
d、错位补偿不当,应补偿处未补偿,设计结构错误;

端接电缆结构区:
a、电缆剥制尺寸错误,剥制尺寸超差,剥制尺寸设计错误;
b、端面有残丝、留丝、飞丝、灰尘、油污、加工粗糙、切割不平、端面不圆等;
c、异物进入连接器内部,尤其是金属屑;
d、装配不到位,过紧或过松导致形体变形或有间隙。

对于以上出现的现象,只看图纸,不进行解剖是很难发现的。有些缺陷也是难以想像的,必须对照实物进行分析。同时,也应注意,经常在装配现场,观察分析,装配工艺每一步,是否有不当之处,查找影响vswr的因素,制订整改措施。

3.3.3. 应用矢量网络分析仪的时域功能,确认影响vswr的部位

当发现产品的vswr性能超标时,对有条件的单位,可以应用矢量网络分析仪的时域反射功能,确定影响vswr的部位,并在对应部位进行解剖分析确定具体的原因.当问题查清后,便可根据具体问题,制订整改措施,降低产品的vswr。

3.3.4. 从试验入手,观察分析测试频率特性曲线,寻找“敏感区”或“敏感点”查找影响vswr的因素

由于射频同轴连接器的vswr性能,必须通过测试验证来确定。在测试过程中,不妨采用装装试试,动动看看的方法,观察分析特性曲线,从特性曲线的变化寻找“敏感区”或“敏感点”查找影响产品vswr的原因,这样常常会得到意想不到的效果。

在装连测试系统正确,且经预热、校准的前提下,可以轻轻抖动、弯曲和扣动测试组件观察分析特性曲线有否变化和变化的特点,当随着抖动、弯曲和打敲测试曲线无任何变化,说明连接器或电缆组件相关部位接触可靠正常,符合要求;如果随着抖动、弯曲或敲打任一动作,测试曲线随之有尖峰突现,动作停止,尖峰也随之消失。说明连接器或电缆组件在相关的接触部位有接触不良接触不可靠现象,即是影响vswr性能的因素之一。

在保证不损伤测试仪器的前提下,可以轻轻地旋动连接器或转接器或负载的螺母,松松紧紧,注意观察显示器上特性曲线的变化特征。当随着旋动连接螺母,特性曲线逐渐趋于平缓,性能向好处发展,但最后指标仍是超标,这时有可能是旋动部位的界面尺寸有超差现象。旋动时,最好能应用力矩扳手;如果随着旋动连接器或负载的连接螺母,逐渐旋紧时,特性曲线也由好逐渐变差,这说明旋动的相关界面尺寸不是最佳尺寸,针对特性曲线随旋动连接螺母而变化的特点,应对相关界面尺寸进行检验,很可能有界面尺寸超差现象。

3.3.5. 从经验入手,查找确定影响vswr的因素

平时注意探讨记录影响产品vswr的原因,积累降低vswr的措施经验,对于不同的问题缺陷,采取的不同补偿措施,补偿达到的程度数据;何种缺陷引起的特性曲线的变异特征,对应的纠正措施,经常做到记录总结。在生产实践中,一旦出现类似问题,便可根据积累的经验对号入座,迅速查出原因,采取纠正措施。

当一时难以找出确定影响产品的vswr的原因时,不应急噪,可以换个思路,这些往往从图纸上的结构很难看出来,可在生产线上,观察分析机加、装配过程、测试检验诸环节,分析是否有操作不当,工艺不合理现象或者进一步验证做过的方法正确性,通过这些,往往也会能查找出影响vswr的因素,找出解决问题的措施。

如果产品是电缆组件,平时性能一直比较稳定正常,稳定的电缆、零部件供货渠道厂家,稳定未变的装配、测试方法,当出现批不合格时,当更换产品机加、零件未发现不合格,观察装配、测试等工艺过程未发现有缺陷和不当时,还应考虑电缆的因素,看应用的射频是否存在不合格因素。

例如:

· 电缆周期性缺陷的影响

在vswr频域图中,表现在比较固定的频点上出现vswr峰值。同时,在此频点的倍频处通常也会出现峰值;当用时域法查找电缆结构缺陷点时,也存在较大的swr峰值点。这类缺陷通常由设备的旋转部件故障产生,其表现为同轴电缆结构缺陷的间隔长度相同,其vswr峰值的波形如图9所示。

随机性缺陷的影响

在vswr频域图上表现为通域或个别频段vswr整体水平较差,当用时域法查找电缆结构缺陷时,在电缆较长一段上存在较大的vswr峰值点。这些缺陷没有周期性,这种缺陷通常是由于设备状态长期不稳定(如电气参数变化,牵引打滑,设备或张力随机抖动等)造成,其vswr波形图如图10所示。

image.png

图10.电缆非周期性结构不均匀引起的vswr波形

· 局部缺陷的影响

在vswr频域图中,通常表现为通域或个别频段vswr图形呈现锯齿形状,当用时域法查找电缆结构缺陷时,可以发现少量的vswr峰值点,这些缺陷没有周期性,且存在数量较少。这种缺陷通常是由于设备状态瞬间不稳定或操作不当所造成。vswr波形图如图11所示。修复后电缆正常的vswr波形如图12。

 

4、结束语

如何降低射频同轴连接器的vswr是射频连接器设计者的一个永恒的主题,往往也是一个难题,因而应经常注意学习、积累经验。设计和测试检验是一个相互印证,共同提高和相互充实的过程,不应有所偏废;降低射频连接器的vswr,往往是一次改进很难成功,需要多次反复试验,才能完成。因而,不应急噪,应有耐心和毅力。科技在进步,新理论、新结构、新工艺不断涌现,因而应不断学习他人的经验,不断改进,才能更好地不断降低产品的vswr,满足工作需要。


 

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